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看完這些你就知道LCR數(shù)字電橋的特性有哪些了

點(diǎn)擊次數(shù):2029  更新時(shí)間:2020-08-25
  你知道LCR數(shù)字電橋的特性有哪些么?下面就讓我們一起來了解一下吧。
 
  1、多參數(shù)混合顯示功能
 
  多參數(shù)同時(shí)顯示可滿足復(fù)雜元件各種分布參數(shù)的全面觀察與評估要求,而不必反復(fù)切換測量參數(shù)。
 
  電感L和其直流電阻DCR可以同時(shí)測量顯示,顯著提高電感測量效率。
 
  2、揭示電感器件的多種特性
 
  使用內(nèi)部/外部直流偏置,結(jié)合各種掃描測試功能,可以分析磁性材料、電感器件的性能。
 
  通過偏置電流疊加測試功能,可以測量高頻電感器件、通訊變壓器,濾波器的小電流疊加性能。使用外部電流疊加裝置,可使偏置電流達(dá)40A以分析高功率、大電流電感器件。
 
  3、陶瓷電容測量
 
  1kHz和1MHz是陶瓷材料和電容器的主要測試頻率。陶瓷電容器具有低損耗值的特征,同時(shí)其容量、損耗施加之交流信號會產(chǎn)生明顯的變化。
 
  儀器具有寬頻測試能力并可提供良好的準(zhǔn)確度,六位分辨率和自動電平控制(ALC)功能等,中以滿足陶瓷材料和電容器可靠、準(zhǔn)確的測試需要。
 
  4、液晶單元的電容特性測量
 
  電容-電壓(C-Vac)特性是評價(jià)液晶材料性能的主要方法,常規(guī)儀器測量液晶單元的C-Vac特性遇到一個問題是大測試電壓不夠。
 
  使用擴(kuò)展測量選件可提供分辨率為1%及高達(dá)20Vms的可編程測試信號電平,使它能在條件下進(jìn)行液晶材料的電容特性測量。
 
  5、半導(dǎo)體材料和元件的測量
 
  進(jìn)行MOS型半導(dǎo)體制造工藝評價(jià)時(shí),需要氧化層電容和襯底雜質(zhì)密度這些參數(shù),這些可從C-Vdc特性的測量結(jié)果推導(dǎo)出來。
 
  通過提供的直流源,結(jié)合各種掃描功能,可以方便地完成C-VDC特性的測量。
 
  為了測試晶圓上的半導(dǎo)體器件,需要延伸電纜和探頭,儀器的1m/2m/4m延伸電纜選件可將電纜延伸的誤差降至小。
 
  各種二極管、三極管、MOS管的分布電容也是本儀器的測試內(nèi)容。
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